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制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:41.9 A

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:26 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :25 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:90 W

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-3P-3

商標(biāo):Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:140 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時(shí)間:250 ns

系列:FQAF55N10

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:110 ns

典型接通延遲時(shí)間:25 ns