FET 類型：P 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：250V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：7.1A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：38nC @ 10V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1180pF @ 25V
功率耗散（最大值）：70W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：620 毫歐 @ 3.55A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：TO-3PF
封裝/外殼：SC-94
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs