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FQB12N60C
規(guī)格信息：

制造商:Fairchild Semiconductor

產品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:12 A

Vds-漏源極擊穿電壓:600 V

Rds On-漏源導通電阻:650 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :30 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:3.13 W

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:D2PAK-3

封裝:Reel

商標:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:90 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:85 ns

系列:FQB12N60

典型關閉延遲時間:140 ns

典型接通延遲時間:30 ns

介紹圖FQB12N60C
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
FQB12N60C600V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網642.37 Kbytes共9頁FQB12N60C的PDF文件地址STP4NM60,FQAF19N60,FQP7N60,SSW1N60B,FCP20N60,FQP3N60C,STS1HNK60,FQB12N60,FQPF12N60,SSW2N60B FQB12N60C的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
FQB12N60C600V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網828.96 Kbytes共9頁FQB12N60C的PDF文件地址 FQB12N60C的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
FQB12N60CTM600V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網828.96 Kbytes共9頁FQB12N60CTM的PDF文件地址 FQB12N60CTM的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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