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FQB15P12
規(guī)格信息:

制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:15 A

Vds-漏源極擊穿電壓:- 120 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:200 mOhms

晶體管極性:P-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :30 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:3.75 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:D2PAK-3

商標(biāo):Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:80 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:100 ns

系列:FQB15P12

典型關(guān)閉延遲時間:80 ns

典型接通延遲時間:15 ns

介紹圖FQB15P12
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
FQB15P12120V P-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)652.3 Kbytes共9頁FQB15P12的PDF文件地址FQP15P12,SI6913DQ,MCH5818,SUB75P03-07,SI8411DB,SI7901EDN,STB80PF55,SI9434BDY,STS4PF20V,SI3851DV FQB15P12的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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