產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules
配置：Dual Dual Collector Dual Emitter
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1700 V
在25 C的連續(xù)集電極電流：1200 A
最大工作溫度：+ 125 C
封裝 / 箱體：IHM130
商標：Infineon Technologies
柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V
最小工作溫度：- 40 C
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
工廠包裝數(shù)量：2
ROHS： 含鉛