制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:IGBT 模塊
產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules
配置:Dual Dual Collector Dual Emitter
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1700 V
在25 C的連續(xù)集電極電流:950 A
封裝 / 箱體:IHM130
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 125 C
封裝:Tray
高度:38 mm
長度:140 mm
寬度:130 mm
商標:Infineon Technologies
安裝風格:SMD/SMT
柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V
產(chǎn)品類型:IGBT Modules
工廠包裝數(shù)量:2
子類別:IGBTs
零件號別名:FF600R17KE3B2NOSA1 SP000100601