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產(chǎn)品種類：IGBT 模塊

產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules

配置：Dual

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1600 V

集電極—射極飽和電壓：3.5 V

在25 C的連續(xù)集電極電流：600 A

柵極—射極漏泄電流：400 nA

功率耗散：3.9 kW

最大工作溫度：+ 125 C

封裝 / 箱體：IHM

商標：Infineon Technologies

柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V

最小工作溫度：- 40 C

安裝風(fēng)格：Screw

工廠包裝數(shù)量：8

ROHS： 含鉛