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FF650R17IE4
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:IGBT 模塊

產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules

配置:Dual

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1700 V

集電極—射極飽和電壓:2.45 V

在25 C的連續(xù)集電極電流:930 A

柵極—射極漏泄電流:400 nA

Pd-功率耗散:4.15 kW

封裝 / 箱體:PRIME2

最小工作溫度:- 40 C

最大工作溫度:+ 150 C

封裝:Tray

高度:38 mm

長度:172 mm

寬度:89 mm

商標(biāo):Infineon Technologies

安裝風(fēng)格:Chassis Mount

柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V

產(chǎn)品類型:IGBT Modules

工廠包裝數(shù)量:3

子類別:IGBTs

零件號(hào)別名:FF650R17IE4BOSA1 SP000614664

單位重量:849 g

FF650R17IE4

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
FF650R17IE4	PrimePACKa?￠2 Modul und NTC	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1236.98 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
FF650R17IE4BOSA1	IGBT MODULE 1700V 4150W	Infineon Technologies	1.71 Mbytes	共10頁	產(chǎn)品購買
FF650R17IE4D_B2	PrimePACKa?￠2 Modul und NTC	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1245.02 Kbytes	共9頁	產(chǎn)品購買
FF650R17IE4DB2BOSA1	IGBT MODULE 1700V 4150W	Infineon Technologies	1.72 Mbytes	共10頁	產(chǎn)品購買
FF650R17IE4DP_B2	PrimePACKa?￠2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode	INFINEON[Infineon Technologies AG]	621.0 Kbytes	共10頁	產(chǎn)品購買
FF650R17IE4DPB2BOSA1	IGBT MODULE 1700V 650A	Infineon Technologies	613.10 Kbytes	共10頁	產(chǎn)品購買
FF650R17IE4P	PrimePACKa?￠2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode	INFINEON[Infineon Technologies AG]	617.7 Kbytes	共10頁	產(chǎn)品購買
FF650R17IE4PBOSA1	IGBT MODULE 1700V 650A	Infineon Technologies	610.72 Kbytes	共10頁	產(chǎn)品購買
FF650R17IE4V	IGBT 模塊	Infineon Technologies	250.89 Kbytes	共4頁	產(chǎn)品購買
FF650R17IE4V		Infineon(英飛凌)	1.71 Mbytes	共10頁	產(chǎn)品購買
FF650R17IE4VBOSA1	IGBT MODULE 1700V 4150W	Infineon Technologies	1.71 Mbytes	共10頁	產(chǎn)品購買