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FDP603AL
規(guī)格信息：

制造商:Fairchild Semiconductor

產品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:33 A

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Rds On-漏源導通電阻:22 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:50 W

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

商標:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:80 ns

最小工作溫度:- 65 C

上升時間:102 ns

系列:FDP6035

典型關閉延遲時間:20 ns

典型接通延遲時間:8 ns

介紹圖FDP603AL
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
FDP603ALN-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網414.53 Kbytes共4頁FDP603AL的PDF文件地址NDP4060L,SI3442DV,CEP6030LS2,CEP7060LR,P3055LS,P75N02LS,CEP06N5,NDP6060L,NDS331N,CEP6031L FDP603AL的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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