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制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:500 V

Id-連續(xù)漏極電流:4.5 A

Rds On-漏源導通電阻:1.38 Ohms

Vgs th-柵源極閾值電壓:5 V

Vgs - 柵極-源極電壓:25 V

Qg-柵極電荷:9 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 125 C

Pd-功率耗散:78 W

配置:Single

商標名:UniFET

封裝:Tube

高度:16.3 mm

長度:10.67 mm

系列:FDP5N50NZ

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:4.7 mm

商標:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導 - 最小值:3.54 S

產(chǎn)品類型:MOSFET

工廠包裝數(shù)量:1000

子類別:MOSFETs

單位重量:1.800 g