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FDP6035L
規(guī)格信息:

制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET

RoHS:

Id-連續(xù)漏極電流:58 A

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:11 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:75 W

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

封裝:Tube

商標(biāo):Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:17 ns

最小工作溫度:- 65 C

上升時(shí)間:150 ns

系列:FDP6035

工廠包裝數(shù)量:50

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:29 ns

典型接通延遲時(shí)間:7.6 ns

單位重量:1.438 g

介紹圖FDP6035L
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FDP6035LN-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)413.48 Kbytes共4頁(yè)FDP6035L的PDF文件地址NDP4060L,SI3442DV,CEP6030LS2,CEP7060LR,P3055LS,P75N02LS,CEP06N5,NDP6060L,NDS331N,CEP6031L FDP6035L的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FDP6035L相關(guān)型號(hào)規(guī)格信息
購(gòu)買(mǎi)、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚?xiě)詢價(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
詢價(jià)型號(hào)*數(shù)量*批號(hào)封裝品牌其它要求
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