制造商:ON Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:Power-56-8
通道數(shù)量:2 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:25 V
Id-連續(xù)漏極電流:30 A, 60 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2.1 mOhms, 5.4 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.2 V, 1.4 V
Vgs - 柵極-源極電壓:12 V
Qg-柵極電荷:26 nC, 59 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2.2 W, 2.5 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:Power Stage PowerTrench
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:1.1 mm
長(zhǎng)度:6 mm
系列:FDMS3610S
晶體管類型:2 N-Channel
寬度:5 mm
商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導(dǎo) - 最小值:100 S, 240 S
下降時(shí)間:2 ns, 4 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:2 ns, 5 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:23 ns, 39 ns
典型接通延遲時(shí)間:7 ns, 11 ns
單位重量:171 mg