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FDMS3602S
規(guī)格信息:

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:Power-56-8

通道數(shù)量:2 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:25 V

Id-連續(xù)漏極電流:15 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:5.6 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:19 nC, 45 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

配置:Dual

商標(biāo)名:Power Stage PowerTrench

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:1.1 mm

長度:6 mm

系列:FDMS3602S

晶體管類型:2 N-Channel

寬度:5 mm

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導(dǎo) - 最小值:67 S, 132 S

下降時(shí)間:1.8 ns, 3.2 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:2 ns, 4.2 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:19 nS, 31 nS

典型接通延遲時(shí)間:7.9 nS, 12 nS

單位重量:90 mg

介紹圖FDMS3602S
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
FDMS3602S25 V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET Features FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)582.82 Kbytes共15頁FDMS3602S的PDF文件地址 FDMS3602S的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
FDMS3602SPowerTrench? Power Stage 25 V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)2008.52 Kbytes共15頁FDMS3602S的PDF文件地址 FDMS3602S的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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