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FDMS1D5N03
規(guī)格信息:

制造商:ON Semiconductor

產品種類:MOSFET

RoHS:

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:Power-56-8

通道數量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Id-連續(xù)漏極電流:218 A

Rds On-漏源導通電阻:900 uOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:800 mV

Vgs - 柵極-源極電壓:16 V

Qg-柵極電荷:139 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:83 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

系列:FDMS1D5N03

晶體管類型:1 N-Channel

商標:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導 - 最小值:320 S

下降時間:4 ns

產品類型:MOSFET

上升時間:5 ns

工廠包裝數量:3000

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:52 ns

典型接通延遲時間:16 ns

單位重量:106 mg

介紹圖FDMS1D5N03
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
FDMS1D5N03N-Channel PowerTrench MOSFET ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO-天天IC網584.03 Kbytes共8頁FDMS1D5N03的PDF文件地址 FDMS1D5N03的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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