FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：22A（Ta）
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：66nC
電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：4225pF
電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：15V
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），65W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：3 毫歐 @ 21A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：8-PQFN（5x6）
封裝/外殼：8-PowerTDFN
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs