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FDMC6675BZ
規(guī)格信息:

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:Power-33-8

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Id-連續(xù)漏極電流:9.5 A

Rds On-漏源導通電阻:14.4 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:25 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.3 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:PowerTrench

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:0.8 mm

長度:3.3 mm

系列:FDMC6675BZ

晶體管類型:1 P-Channel

寬度:3.3 mm

商標:ON Semiconductor / Fairchild

下降時間:26 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:10 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:44 ns

典型接通延遲時間:11 ns

單位重量:200 mg

介紹圖FDMC6675BZ
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
FDMC6675BZP-Channel Power Trench?? MOSFET -30 V, -20 A, 14.4 m?? FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)291.73 Kbytes共7頁FDMC6675BZ的PDF文件地址 FDMC6675BZ的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
FDMC6675BZ-TINTEGRATED CIRCUITON SemiconductorON Semiconductor的LOGO-天天IC網(wǎng)462.49 Kbytes共9頁FDMC6675BZ-T的PDF文件地址 FDMC6675BZ-T的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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