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FDMC2610 PDF文件_規(guī)格信息

FDMC2610
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:Power-33-8

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:200 V

Id-連續(xù)漏極電流:9.5 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:200 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.1 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:UltraFET

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:0.8 mm

長度:3.3 mm

系列:FDMC2610

晶體管類型:1 N-Channel

類型:MOSFET

寬度:3.3 mm

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導(dǎo) - 最小值:7 S

下降時間:16 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:13 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:29 ns

典型接通延遲時間:17 ns

單位重量:165.330 mg

FDMC2610

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
FDMC2610	N-Channel UltraFET Trench MOSFET(200V, 9.5A, 200mohm)	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	370.27 Kbytes	共7頁	FDP047AN08A0,ISL9N322AD3ST,BUZ32,FDD3672,FDS2572,FDD6632,FDS2672,FDS5692Z,FDMC2674,FDB045AN08A0	產(chǎn)品購買
FDMC2610	N-Channel UltraFET Trench?? MOSFET 200V, 9.5A, 200m??	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	384.79 Kbytes	共7頁	FDMS2672,2N6784,FDB2614,STW34NB20_04,FDMS2734,FDP39N20_07,FDMS3672,FDMS5672,2SK3613-01,STB11NM60FD	產(chǎn)品購買
FDMC2610_07	N-Channel UltraFET Trench?? MOSFET 200V, 9.5A, 200m??	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	384.79 Kbytes	共7頁	FDMS2672,2N6784,FDB2614,STW34NB20_04,FDMS2734,FDP39N20_07,FDMS3672,FDMS5672,2SK3613-01,STB11NM60FD	產(chǎn)品購買
FDMC2610_12	N-Channel UltraFET Trench?? MOSFET 200V, 9.5A, 200m??	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	620.66 Kbytes	共7頁		產(chǎn)品購買

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