標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷（TR）
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：6.1A（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：35 毫歐 @ 6.1A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：59nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：2085pF @ 10V
功率 - 最大值：800mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-MLP，MicroFET?
供應(yīng)商器件封裝：8-MLP，MicroFET（3x1.9）
其它名稱：FDMB668PTR