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FDMC3612
規(guī)格信息:

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:Power-33-8

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Id-連續(xù)漏極電流:16 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:122 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:14.4 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:35 W

配置:Single

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:0.8 mm

長度:3.3 mm

系列:FDMC3612

晶體管類型:1 N-Channel

類型:N-Channel Power Trench MOSFET

寬度:3.3 mm

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導(dǎo) - 最小值:13 S

下降時間:2 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:2.8 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:19 ns

典型接通延遲時間:7.4 ns

單位重量:180 mg

介紹圖FDMC3612
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FDMC3612MOSFET – N-Channel, POWERTRENCH ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)577.35 Kbytes共10頁FDMC3612的PDF文件地址 FDMC3612的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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