晶體管極性N-Channel
汲極/源極擊穿電壓30 V
閘/源擊穿電壓+/- 20 V
漏極連續(xù)電流33 A
電阻汲極/源極 RDS(導通)0.022 Ohms at 10 V
配置Single
最大工作溫度+ 175 C
安裝風格SMD/SMT
封裝 / 箱體TO-263AB
封裝Reel
下降時間80 ns
最小工作溫度- 65 C
功率耗散50 W
上升時間102 ns
典型關(guān)閉延遲時間20 ns
FDB603AL
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| FDB603AL | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor] | 414.53 Kbytes | 共4頁 | NDP4060L,SI3442DV,CEP6030LS2,CEP7060LR,P3055LS,P75N02LS,CEP06N5,NDP6060L,NDS331N,CEP6031L | 產(chǎn)品購買 |
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