存儲(chǔ)器類型:非易失
存儲(chǔ)器格式:NVSRAM
技術(shù):NVSRAM(非易失性 SRAM)
存儲(chǔ)容量:1Mb (128K x 8)
寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè):70ns
訪問(wèn)時(shí)間:70ns
存儲(chǔ)器接口:并聯(lián)
電壓 - 電源:4.5 V ~ 5.5 V
工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:34-PowerCap? 模塊
供應(yīng)商器件封裝:34-PowerCap 模塊
無(wú)鉛情況/RoHs:無(wú)鉛/符合RoHs
DS1245YP-70IND
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DS1245YP-70IND | 1024k Nonvolatile SRAM | MAXIM[Maxim Integrated Products] | 229.51 Kbytes | 共10頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買 | ||||
| DS1245YP-70IND+ | NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile | Maxim Integrated | 213.41 Kbytes | 共10頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買 | ||||
| DS1245YP-70IND+ | IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP | Maxim Integrated | 223.35 Kbytes | 共10頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買 | ||||
| DS1245YP-70IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP | Maxim Integrated | 223.35 Kbytes | 共10頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買 |
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