存儲器類型:非易失
存儲器格式:NVSRAM
技術(shù):NVSRAM(非易失性 SRAM)
存儲容量:1Mb (128K x 8)
寫周期時間 - 字,頁:85ns
訪問時間:85ns
存儲器接口:并聯(lián)
電壓 - 電源:4.75 V ~ 5.25 V
工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:32-DIP 模塊(0.600",15.24mm)
供應(yīng)商器件封裝:32-EDIP
無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
DS1245AB-85
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DS1245AB-85 | 1024k Nonvolatile SRAM | DALLAS[Dallas Semiconductor] | 221.24 Kbytes | 共12頁 | DS1345W,DS1245W,DS1345Y,DS1245YL,DS1345BL,DS1230W,M48T248Y,DS1230Y,DS1265Y,BQ2201 | 產(chǎn)品購買 | |||
| DS1245AB-85+ | NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile | Maxim Integrated | 213.41 Kbytes | 共10頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| DS1245AB-85+ | IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP | Maxim Integrated | 223.35 Kbytes | 共10頁 | 產(chǎn)品購買 |
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