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DS1245AB-70IND
規(guī)格信息：

存儲器類型：非易失

存儲器格式：NVSRAM

技術：NVSRAM（非易失性 SRAM）

存儲容量：1Mb （128K x 8）

寫周期時間 - 字，頁：70ns

訪問時間：70ns

存儲器接口：并聯(lián)

電壓 - 電源：4.75 V ~ 5.25 V

工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：32-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）

供應商器件封裝：32-EDIP

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖DS1245AB-70IND
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
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DS1245AB-70IND+IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIPMaxim IntegratedMaxim Integrated的LOGO-天天IC網223.35 Kbytes共10頁DS1245AB-70IND+的PDF文件地址 DS1245AB-70IND+的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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