存儲(chǔ)器類型:非易失
存儲(chǔ)器格式:NVSRAM
技術(shù):NVSRAM(非易失性 SRAM)
存儲(chǔ)容量:1Mb (128K x 8)
寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè):100ns
訪問(wèn)時(shí)間:100ns
存儲(chǔ)器接口:并聯(lián)
電壓 - 電源:4.75 V ~ 5.25 V
工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:34-LPM
供應(yīng)商器件封裝:34-LPM
無(wú)鉛情況/RoHs:無(wú)鉛/符合RoHs
DS1245BL-100
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| DS1245BL-100 | 1024K Nonvolatile SRAM | DALLAS[Dallas Semiconductor] | 181.51 Kbytes | 共9頁(yè) | DS1245W,DS1345W,DS1245Y,DS1345Y,DS1345BL,DS1230W,M48T248Y,DS1230Y,DS1265Y,BQ2201 | 產(chǎn)品購(gòu)買 | |||
| DS1245BL-100-IND | 1024K Nonvolatile SRAM | DALLAS[Dallas Semiconductor] | 181.51 Kbytes | 共9頁(yè) | DS1245W,DS1345W,DS1245Y,DS1345Y,DS1345BL,DS1230W,M48T248Y,DS1230Y,DS1265Y,BQ2201 | 產(chǎn)品購(gòu)買 |
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