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DS1230AB-70IND
規(guī)格信息：

存儲器類型：非易失

存儲器格式：NVSRAM

技術：NVSRAM（非易失性 SRAM）

存儲容量：256Kb （32K x 8）

寫周期時間 - 字，頁：70ns

訪問時間：70ns

存儲器接口：并聯(lián)

電壓 - 電源：4.75 V ~ 5.25 V

工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）

供應商器件封裝：28-EDIP

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖DS1230AB-70IND
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
DS1230AB-70IND256k Nonvolatile SRAM DALLAS[Dallas Semiconductor]DALLAS[Dallas Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)213.86 Kbytes共12頁DS1230AB-70IND的PDF文件地址DS1330W,DS1330YL,DS1330AB,DS1230W,CY7C1355C,M36DR432A,A62S8308,BS616LV4011,DS1235Y,BS616LV4018 DS1230AB-70IND的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
DS1230AB-70IND+256k Nonvolatile SRAM MAXIM[Maxim Integrated Products]MAXIM[Maxim Integrated Products]的LOGO-天天IC網(wǎng)222.21 Kbytes共10頁DS1230AB-70IND+的PDF文件地址 DS1230AB-70IND+的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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