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DS1230AB-100
規(guī)格信息：

標(biāo)準(zhǔn)包裝：12

類別：集成電路 (IC)

家庭：存儲(chǔ)器

系列：-

包裝：管件

格式 - 存儲(chǔ)器：RAM

存儲(chǔ)器類型：NVSRAM（非易失 SRAM）

存儲(chǔ)容量：256K (32K x 8)

速度：100ns

接口：并聯(lián)

電壓 - 電源：4.75 V ~ 5.25 V

工作溫度：0°C ~ 70°C

封裝/外殼：28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）

供應(yīng)商器件封裝：28-EDIP

其它名稱：DS1230AB100

ROHS：含鉛

DS1230AB-100

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
DS1230AB-100	256k Nonvolatile SRAM	DALLAS[Dallas Semiconductor]	213.86 Kbytes	共12頁(yè)	DS1330W,DS1330YL,DS1330AB,DS1230W,CY7C1355C,M36DR432A,A62S8308,BS616LV4011,DS1235Y,BS616LV4018	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
DS1230AB-100+	NVRAM 256k Nonvolatile SRAM	Maxim Integrated	205.68 Kbytes	共10頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
DS1230AB-100+	IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP	Maxim Integrated	216.56 Kbytes	共10頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
DS1230AB-100IND	256k Nonvolatile SRAM	DALLAS[Dallas Semiconductor]	213.86 Kbytes	共12頁(yè)	DS1330W,DS1330YL,DS1330AB,DS1230W,CY7C1355C,M36DR432A,A62S8308,BS616LV4011,DS1235Y,BS616LV4018	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
DS1230AB-100-IND	256k Nonvolatile SRAM	DALLAS[Dallas Semiconductor]	213.86 Kbytes	共12頁(yè)	DS1330W,DS1330YL,DS1330AB,DS1230W,CY7C1355C,M36DR432A,A62S8308,BS616LV4011,DS1235Y,BS616LV4018	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)