存儲器類型:非易失
存儲器格式:NVSRAM
技術(shù):NVSRAM(非易失性 SRAM)
存儲容量:64Kb (8K x 8)
寫周期時間 - 字,頁:70ns
訪問時間:70ns
存儲器接口:并聯(lián)
電壓 - 電源:4.5 V ~ 5.5 V
工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:28-DIP 模塊(0.600",15.24mm)
供應(yīng)商器件封裝:28-EDIP
無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
DS1225AD-70IND
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| DS1225AD-70IND | 64k Nonvolatile SRAM | DALLAS[Dallas Semiconductor] | 210.58 Kbytes | 共9頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| DS1225AD-70IND | 64k Nonvolatile SRAM | DALLAS[Dallas Semiconductor] | 147.62 Kbytes | 共10頁 | DS1225Y,BS616LV1011,BQ4017,DS1350Y,DS1249Y,DS1258Y,DS2065W,DS2030Y,MCM69Q618 | 產(chǎn)品購買 | |||
| DS1225AD-70IND+ | NVRAM 64k Nonvolatile SRAM | Maxim Integrated | 195.86 Kbytes | 共9頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| DS1225AD-70IND+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | Maxim Integrated | 204.42 Kbytes | 共9頁 | 產(chǎn)品購買 |
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