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DS1230AB-150
規(guī)格信息：

存儲(chǔ)器類(lèi)型：非易失

存儲(chǔ)器格式：NVSRAM

技術(shù)：NVSRAM（非易失性 SRAM）

存儲(chǔ)容量：256Kb （32K x 8）

寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：150ns

訪問(wèn)時(shí)間：150ns

存儲(chǔ)器接口：并聯(lián)

電壓 - 電源：4.75 V ~ 5.25 V

工作溫度：0°C ~ 70°C（TA）

安裝類(lèi)型：通孔

封裝/外殼：28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）

供應(yīng)商器件封裝：28-EDIP

無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs

DS1230AB-150

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
DS1230AB-150	256k Nonvolatile SRAM	DALLAS[Dallas Semiconductor]	213.86 Kbytes	共12頁(yè)	DS1330W,DS1330YL,DS1330AB,DS1230W,CY7C1355C,M36DR432A,A62S8308,BS616LV4011,DS1235Y,BS616LV4018	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
DS1230AB-150+	NVRAM 256k Nonvolatile SRAM	Maxim Integrated	205.68 Kbytes	共10頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
DS1230AB-150+	IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP	Maxim Integrated	216.56 Kbytes	共10頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
DS1230AB-150IND	256k Nonvolatile SRAM	DALLAS[Dallas Semiconductor]	213.86 Kbytes	共12頁(yè)	DS1330W,DS1330YL,DS1330AB,DS1230W,CY7C1355C,M36DR432A,A62S8308,BS616LV4011,DS1235Y,BS616LV4018	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
DS1230AB-150-IND	256k Nonvolatile SRAM	DALLAS[Dallas Semiconductor]	213.86 Kbytes	共12頁(yè)	DS1330W,DS1330YL,DS1330AB,DS1230W,CY7C1355C,M36DR432A,A62S8308,BS616LV4011,DS1235Y,BS616LV4018	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)