制造商:Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類:MOSFET
技術(shù):Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:U-DFN2020-6
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
Id-連續(xù)漏極電流:8.6 A
Rds On-漏源導通電阻:15 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V
Vgs - 柵極-源極電壓:25 V
Qg-柵極電荷:19.6 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
晶體管類型:1 P-Channel
商標:Diodes Incorporated
下降時間:26 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:23 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:34 ns
典型接通延遲時間:5.3 ns
單位重量:6.750 mg
DMP3026SFDF-7
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| DMP3026SFDF-7 | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | DIODES[Diodes Incorporated] | 526.63 Kbytes | 共8頁 | 產(chǎn)品購買 |
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