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制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:PowerDI5060-8

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Id-連續(xù)漏極電流:36 A

Rds On-漏源導通電阻:5.7 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:2.1 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:126.2 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.26 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

資格:AEC-Q101

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

系列:DMP3010

晶體管類型:1 P-Channel

商標:Diodes Incorporated

下降時間:99.3 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:9.4 ns

工廠包裝數(shù)量:2500

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:260.7 ns

典型接通延遲時間:11.4 ns

單位重量:96 mg