通道類型:P
最大連續(xù)漏極電流:70 A
最大漏源電壓:30 V
最大漏源電阻值:13 m0hms
最大柵閾值電壓:3V
最小柵閾值電壓:1V
最大柵源電壓:±25 V
封裝類型:PowerDI3333
安裝類型:表面貼裝
晶體管配置:單
引腳數(shù)目:8
通道模式:增強(qiáng)
最大功率耗散:2.8 W
最高工作溫度:+150 °C
最低工作溫度:-55 °C
長(zhǎng)度:3.35mm
每片芯片元件數(shù)目:1
高度:0.78mm
正向二極管電壓:1.2V
尺寸:3.35 x 3.35 x 0.78mm
典型柵極電荷@Vgs:64.2 @ 10 V nC
典型輸入電容值@Vds:2826 pF @ -15 V
典型關(guān)斷延遲時(shí)間:306 ns
典型接通延遲時(shí)間:4.3 ns
系列:DMP
無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
DMP3007SFG-7
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMP3007SFG-7 | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | DIODES[Diodes Incorporated] | 479.78 Kbytes | 共7頁 | 產(chǎn)品購(gòu)買 |
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