FET類型：P 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：11.5A（Ta）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：41nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：2246pF @ 15V
Vgs（最大值）：±25V
功率耗散（最大值）：940mW（Ta）
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：10 毫歐 @ 11.5A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-PowerWDFN
封裝形式Package：PowerDI
極性Polarity：P-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：30V
連續(xù)漏極電流ID：11.5A
無鉛情況/RoHs：否