制造商:Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:PowerDI3333-8
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
Id-連續(xù)漏極電流:35 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:8 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Qg-柵極電荷:33.7 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:31 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo):Diodes Incorporated
下降時(shí)間:106.5 ns
產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET
上升時(shí)間:4.5 ns
工廠包裝數(shù)量:2000
子類(lèi)別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:96 ns
典型接通延遲時(shí)間:4 ns