FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源電壓(Vdss):60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):7.1A,22.6A
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):27 毫歐 @ 5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):32nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2127pF @ 25V
功率 - 最大值:1.5W
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝:8-SO
無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs