DMNH6021SPDQ-13規(guī)格信息：
制造商:Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類:MOSFET
技術(shù):Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:PowerDI5060-C-8
通道數(shù)量:2 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
Id-連續(xù)漏極電流:8.2 A
Rds On-漏源導通電阻:15 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:20.1 nC, 20.1 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:2.8 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
資格:AEC-Q101
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
晶體管類型:2 N-Channel
商標:Diodes Incorporated
下降時間:5.4 ns, 5.4 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:6 ns, 6 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:14.2 ns, 14.2 ns
典型接通延遲時間:4.4 ns, 4.4 ns
單位重量:116 mg