系列：汽車級，AEC-Q101
FET類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
DraintoSourceVoltage(Vdss)：60V
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：130A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：21nC @ 10V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：2596pF @ 30V
Vgs（最大值）：20V
功率耗散（最大值）：210W（Tc）
不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：8 毫歐 @ 20A，10V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3
無鉛情況/RoHs：否