系列：汽車級，AEC-Q101
FET類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
DraintoSourceVoltage(Vdss)：100V
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：60A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：31.9nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1942pF @ 50V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：2.8W（Ta）
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：28 毫歐 @ 20A，10V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3
無鉛情況/RoHs：否