FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源電壓(Vdss):60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):230mA
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 500mA,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.82nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):22pF @ 25V
功率 - 最大值:320mW
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應(yīng)商器件封裝:SOT-363
無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
DMN67D8LDW-7
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN67D8LDW-7 | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | DIODES[Diodes Incorporated] | 538.89 Kbytes | 共6頁 | 產(chǎn)品購買 |
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