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DMN65D8LFB-7B
規(guī)格信息：

制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:X1-DFN1006-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Id-連續(xù)漏極電流:400 mA

Rds On-漏源導通電阻:3 Ohms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1.2 V

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:840 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

系列:DMN65

晶體管類型:1 N-Channel

商標:Diodes Incorporated

下降時間:6.29 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:3.15 ns

工廠包裝數(shù)量:10000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:12.025 ns

典型接通延遲時間:3.27 ns

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
DMN65D8LFB-7B	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET	DIODES[Diodes Incorporated]	334.35 Kbytes	共6頁	產(chǎn)品購買
DMN65D8LFB-7B	N-Channel MOSFET	DIODES[Diodes Incorporated]	334.35 Kbytes	共6頁	產(chǎn)品購買
DMN65D8LFb-7B	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：260mA 漏源電壓（Vdss）：60V 柵源極閾值電壓：2V @ 250uA 漏源導通電阻：3Ω @ 115mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：430mW 類型：N溝道	DIODES(美臺)	257.59 Kbytes	共6頁	產(chǎn)品購買