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DMN63D8LDW-13
規(guī)格信息:

RoHS指令信息:RoHS Cert of Compliance

標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000

類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭:FET - 陣列

系列:-

包裝:帶卷(TR)

FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙)

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓(Vdss):30V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):220mA

不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2.8 歐姆 @ 250mA,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):870nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):22pF @ 25V

功率 - 最大值:300mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供應(yīng)商器件封裝:SOT-363

其它名稱:DMN63D8LDW-13DI

介紹圖DMN63D8LDW-13
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
DMN63D8LDW-13DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO-天天IC網(wǎng)172.33 Kbytes共6頁DMN63D8LDW-13的PDF文件地址 DMN63D8LDW-13的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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