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制造商:Diodes Incorporated

產品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-23-3

通道數量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Id-連續(xù)漏極電流:380 mA

Rds On-漏源導通電阻:2 Ohms

Vgs th-柵源極閾值電壓:500 mV

Vgs - 柵極-源極電壓:4.5 V

Qg-柵極電荷:0.5 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:590 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

系列:DMN62D0U

晶體管類型:1 N-Channel

商標:Diodes Incorporated

正向跨導 - 最小值:1.8 S

下降時間:12.5 ns

產品類型:MOSFET

上升時間:2.5 ns

工廠包裝數量:3000

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:22.6 ns

典型接通延遲時間:2.4 ns

單位重量:8 mg