系列：DMN
單位重量：6 mg
最大工作溫度：+ 150 C
最小工作溫度：- 55 C
技術(shù)：Si
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
下降時間：6.3 ns, 6.3 ns
典型接通延遲時間：3.3 ns, 3.3 ns
上升時間：3.2 ns, 3.2 ns
Vgs-柵極-源極電壓：20 V. 20 V
Pd-功率耗散：300 mW
通道數(shù)量：2 Channel
Id-連續(xù)漏極電流：180 mA, 180 mA
Vds-漏源極擊穿電壓：60 V, 60 V
晶體管類型：2 N-Channel
RdsOn-漏源導(dǎo)通電阻：8 Ohms
通道模式：Enhancement
晶體管極性：N-Channel
Qg-柵極電荷：870 pC, 870 pC
Vgsth-柵源極閾值電壓：1 V, 1 V
典型關(guān)閉延遲時間：12 ns, 12 ns
正向跨導(dǎo)-最小值：80 mS, 80 mS
FET類型：2 個 N 溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：180mA
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：6 歐姆 @ 115mA，10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：2V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：0.87nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：22pF @ 25V
功率-最大值：300mW
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封裝形式Package：SOT-363
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：60V
連續(xù)漏極電流ID：0.2A
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs