FET類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
DraintoSourceVoltage(Vdss)：900V
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：6A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：5V @ 250μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：20.3nC @ 10V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1487pF @ 25V
Vgs（最大值）：±30V
功率耗散（最大值）：40W（Tc）
不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：2.2 歐姆 @ 3A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3 全封裝，隔離接片
無(wú)鉛情況/RoHs：否