系列：汽車級，AEC-Q101
FET類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
DraintoSourceVoltage(Vdss)：40V
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：13A（Ta），80A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：25.5nC @ 10V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1405pF @ 20V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：1.5W（Ta），100W（Tc）
不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：10 毫歐 @ 20A，10V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-PowerTDFN
無鉛情況/RoHs：否