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制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類:MOSFET

技術(shù):Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-252-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:600 V

Id-連續(xù)漏極電流:2.8 A

Rds On-漏源導通電阻:2.7 Ohms

Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

Qg-柵極電荷:12.6 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:41 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

晶體管類型:1 N-Channel

商標:Diodes Incorporated

下降時間:28 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:22 ns

工廠包裝數(shù)量:2500

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:34 ns

典型接通延遲時間:10.6 ns

單位重量:340 mg