制造商:Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-223-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
Id-連續(xù)漏極電流:5.6 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:68 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Qg-柵極電荷:10.3 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Tube
系列:DMN6068
晶體管類型:1 N-Channel
商標(biāo):Diodes Incorporated
正向跨導(dǎo) - 最小值:19.7 S
下降時(shí)間:8.7 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:10.8 ns
工廠包裝數(shù)量:4000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:11.9 ns
典型接通延遲時(shí)間:3.6 ns
單位重量:112 mg