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DMN6070SSD-13
規(guī)格信息:

制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOIC-8

通道數(shù)量:2 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Id-連續(xù)漏極電流:3.3 A

Rds On-漏源導通電阻:80 Ohms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

Qg-柵極電荷:12.3 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.5 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

系列:DMN60

晶體管類型:2 N-Channel

商標:Diodes Incorporated

下降時間:11 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:4.1 ns

工廠包裝數(shù)量:2500

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:35 ns

典型接通延遲時間:3.5 ns

單位重量:74 mg

介紹圖DMN6070SSD-13
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
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DMN6070SSD-13Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)1091.11 Kbytes共9頁DMN6070SSD-13的PDF文件地址 DMN6070SSD-13的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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