FET類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：115mA（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4V
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 100μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：0.55nC @ 10V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：48pF @ 5V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：240mW（Ta）
不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：5 歐姆 @ 10mA，4V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SOT-523
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：30V
連續(xù)漏極電流ID：0.115A
無鉛情況/RoHs：否