制造商:Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-363-6
通道數(shù)量:2 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
Id-連續(xù)漏極電流:250 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2.4 Ohms, 2.4 Ohms
Vgs th-柵源極閾值電壓:800 mV
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:1.23 nC, 1.23 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:350 mW
配置:Dual
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
系列:DMN33
晶體管類型:2 N-Channel
商標:Diodes Incorporated
下降時間:13.6 ns, 13.6 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:2.6 ns, 2.6 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:18.2 ns, 18.2 ns
典型接通延遲時間:2.9 ns, 2.9 ns
單位重量:7.500 mg