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DMN32D2LFB4
規(guī)格信息：

制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:300 mA

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.2 Ohms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :10 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:350 mW

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DFN-3

商標(biāo):Diodes Incorporated

通道模式:Enhancement

配置:Single

最小工作溫度:- 55 C

系列:DMN32D2

DMN32D2LFB4

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購(gòu)買
DMN32D2LFB4	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	DIODES[Diodes Incorporated]	196.73 Kbytes	共5頁	產(chǎn)品購(gòu)買
DMN32D2LFB4_15	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES[Diodes Incorporated]	185.86 Kbytes	共5頁	產(chǎn)品購(gòu)買
DMN32D2LFB4-7	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES[Diodes Incorporated]	185.86 Kbytes	共5頁	產(chǎn)品購(gòu)買
DMN32D2LFB4-7	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	DIODES[Diodes Incorporated]	196.73 Kbytes	共5頁	產(chǎn)品購(gòu)買
DMN32D2LFB4-7B	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES[Diodes Incorporated]	185.86 Kbytes	共5頁	產(chǎn)品購(gòu)買